二箱式(shi)冷熱沖擊(ji)試驗(yan)箱技術(shu)參數(shu)

壹、 性(xing)能(neng)指(zhi)標：

1. 產(chan)品(pin)名稱：冷熱沖擊(ji)試驗(yan)機(ji)

型(xing)號：JW-TS-150D

2. 樣(yang)品限(xian)制：

本(ben)試(shi)驗設(she)備(bei)禁止：

易(yi)燃、爆炸(zha)、易揮發性物(wu)質(zhi)試樣(yang)的試(shi)驗及儲(chu)存(cun)

腐(fu)蝕(shi)性物質(zhi)試樣(yang)的試(shi)驗及儲(chu)存(cun)

生(sheng)物試(shi)樣(yang)的試(shi)驗或(huo)儲存(cun)

強電磁發射(she)源(yuan)試樣(yang)的試(shi)驗及儲(chu)存(cun)

3. 容(rong)積和(he)尺寸(cun)：

3.1標稱內(nei)容(rong)積（L）：150L

3.2標稱內(nei)箱尺寸(cun)（mm）：W 500×H 500×D600

4. 性(xing)能(neng)：

4.1 測試環境條件：

環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)： 5～35℃

相(xiang)對濕(shi)度(du)≤85%RH、循(xun)環(huan)冷卻水(shui)溫(wen)≤30℃

循(xun)環(huan)冷卻水(shui)供水(shui)壓力(li)為(wei)0.25～0.4MPa

試(shi)驗(yan)箱內無(wu)試樣(yang)（另有(you)說明除外）

4.2測試方(fang)法：

    4.2.1 溫(wen)度(du)範圍：-55°C/+150°C

    4.2.2 溫(wen)度(du)波動(dong)度(du)：±0.5℃

    4.2.3 溫(wen)度(du)偏(pian)差(cha)：±2.0℃

    4.2.4 高(gao)溫(wen)槽(cao)溫(wen)度(du)範圍：60°C/+200°C

    4.2.5 低(di)溫(wen)槽(cao)溫(wen)度(du)範圍：-70°C/-10°C

    4.2.6 溫(wen)度(du)變(bian)化速率：

4.2.6.1升溫(wen)速(su)率: +60 ~ +200℃ ≤30分(fen)鐘(zhong)（高(gao)溫(wen)槽(cao)）

         4.2.6.2降(jiang)溫(wen)速(su)率: -10 ~ -70℃ ≤90分(fen)鐘(zhong)（低溫(wen)槽(cao)）

         4.2.6.3 溫(wen)度(du)恢復(fu)時(shi)間小(xiao)於(yu)5分鐘(zhong)

         4.2.6.4 溫(wen)度(du)轉換時(shi)間小(xiao)於(yu)10S

         4.2.6.5 除(chu)霜(shuang)時(shi)間：150個(ge)循(xun)環以上

         4.2.6.6 沖(chong)擊(ji)時(shi)間：高(gao)溫(wen)（150℃）30min

         4.2.6.7 沖(chong)擊(ji)時(shi)間：低(di)溫(wen)（-55℃）30min

  4.2.7 滿(man)足試(shi)驗(yan)標準：

GB/T 2423.1-2001 試(shi)驗(yan)A：低溫(wen)試(shi)驗(yan)方(fang)法

GB/T 2423.2-2001 試(shi)驗(yan)B：高(gao)溫(wen)試(shi)驗(yan)方(fang)法

GB/T2423.22-2002 試(shi)驗(yan)N：溫(wen)度(du)變(bian)化試驗方(fang)法 試(shi)驗Na

GJB 150.3-1986   高(gao)溫(wen)試(shi)驗(yan)

GJB 150.4-1986   低(di)溫(wen)試(shi)驗(yan)

GJB 150.5-1986   溫(wen)度(du)沖(chong)擊(ji)試驗(yan)

          如(ru)未(wei)特(te)殊(shu)說明(ming)，以上性能指(zhi)標均(jun)為(wei)空載情(qing)況(kuang)下(xia)測定。