廣東(dong)可程(cheng)式(shi)恒(heng)溫恒(heng)濕(shi)試驗(yan)機(ji)

1. 產品(pin)名稱(cheng)

名   稱

型   號

可程(cheng)式(shi)恒(heng)溫恒(heng)濕(shi)試驗(yan)機(ji)

JW-TH-800C

2. 產品(pin)優(you)勢

本公司(si)擁有(you)多位業界*設計(ji)工程(cheng)師(shi)，同歐洲(zhou)技術(shu)合作多(duo)年的(de)經(jing)驗，故而產(chan)品(pin)具(ju)有(you)節能.外(wai)型整(zheng)潔.美(mei)觀.性能穩(wen)定(ding)，可靠(kao)性高(gao)等優(you)勢。

企(qi)業的服務人性化:

其壹：距(ju)客戶(hu)端以(yi)200公裏(li)範(fan)圍(wei)內(nei)（以4小(xiao)時車(che)程算）設(she)有(you)制(zhi)造工(gong)廠(chang)及(ji)技術(shu)中(zhong)心(xin)，確(que)保了(le)解(jie)售前(qian).售中(zhong).售(shou)後.服務的快速(su)性及(ji)合理性；

其二：以零收(shou)費(fei).終身(shen)制(zhi)服務模式作為企(qi)業文化，並認真貫徹(che)執行(xing)；

公司(si)產(chan)品(pin)已在(zai)全球(qiu)得(de)到廣泛(fan)認同，與眾(zhong)多世(shi)界(jie)前(qian)500強(qiang)企(qi)業基本結(jie)為良好(hao)的(de)合(he)作關系，如(ru) SANYO. SONY. CANON. PHILIPS. OKI. EPSON. PANASONIC. SAMSUNG. SIEMENS.  NOKIA.  ASUS. DELTA. MBALIB. HITACHI. ENET等；國(guo)內(nei)有(you)北(bei)京電(dian)子(zi)部(bu)十(shi)壹(yi)所(suo) .北(bei)京鐵(tie)道部(bu)科(ke)研院.北(bei)京空(kong)三(san)所(suo)北(bei)京電(dian)子(zi)部(bu)十(shi)二(er)所(suo).航(hang)天部(bu)239廠(chang).郵(you)電部(bu)機(ji)檢測中(zhong)心(xin)（北(bei)京）.中(zhong)國(guo)航天技(ji)術(shu)進出口公(gong)司(si).中(zhong)科(ke)院廣州能源研究所(suo).石家莊電(dian)子十(shi)三(san)所(suo) .天(tian)津712廠(chang).信(xin)息(xi)產業部(bu)廠(chang) .武(wu)漢凡谷(gu)電(dian)子技(ji)術研究所(suo).鄭(zheng)州郵電部(bu)設(she)計(ji)院等

3. 試樣說明(ming)

本試驗(yan)設(she)備禁(jin)止：

易燃、爆炸、易揮發性物(wu)質試樣的(de)試驗(yan)及(ji)儲(chu)存(cun)

腐蝕性物(wu)質試樣的(de)試驗(yan)及(ji)儲(chu)存(cun)

生物試樣的(de)試驗(yan)或(huo)儲(chu)存(cun)

強(qiang)電磁(ci)發射源試樣的(de)試驗(yan)及(ji)儲(chu)存(cun)

4. 容積和(he)尺(chi)寸

標稱內(nei)容積

內(nei)箱(xiang)尺(chi)寸

外(wai)型尺(chi)寸

800L

W 1000×H 1000×D 800 mm
W 1620×H 2100×D 1370 mm

5. 性能

5.1. 測試環境(jing)條件

 

5.2. 測試方(fang)法(fa)

設備四(si)周氣(qi)流(liu)暢通(tong)，無(wu)高(gao)濃度(du)粉塵，無(wu)腐(fu)蝕性或(huo)易燃易爆性氣(qi)體
環境(jing)溫度(du)為5～35℃
相對(dui)濕(shi)度(du)≤85%RH
循(xun)環冷(leng)卻水溫≤30℃
循(xun)環冷(leng)卻水供水壓力(li)為0.25～0.4MPa（風(feng)冷(leng)設備無(wu)此(ci)要求）

溫度(du)變(bian)化速(su)率(lv)符(fu)合(he)相關標準

5.2.1溫度(du)範(fan)圍(wei)

-40℃～+150℃

5.2.2溫度(du)波(bo)動度(du)

≤  ±0.5℃ 

5.2.3溫度(du)均勻度(du)

≤  ±2℃ 

5.2.4溫度(du)偏差(cha)

≤  ±2.0℃ 

5.2.5溫度(du)變(bian)化速(su)率(lv)

升溫速(su)率(lv): RT+20℃ ~ +130℃≤45 min  

降(jiang)溫速(su)率(lv): RT+20℃ ~ -40℃ ≤60 min  

5.2.6濕(shi)度(du)範(fan)圍(wei)

濕(shi)度(du)範(fan)圍(wei)：20～98%RH （+25℃~+85℃） 

5.2.7相對濕(shi)度(du)偏差(cha)

±2.5% R.H （≤75%R.H時濕(shi)度(du)偏差(cha)：±5% R.H）

5.3. 滿(man)足(zu)試驗(yan)標(biao)準

IEC68-2-1（GB/T2423.1-2001 試驗(yan)A：低(di)溫試驗(yan)方(fang)法(fa)）

IEC68-2-2（GB/T2423.2-2001 試驗(yan)B：高(gao)溫試驗(yan)方(fang)法(fa)）
IEC60068-2-30（GB/T2423.4-1993 試驗(yan)Ca: 交(jiao)變(bian)濕(shi)熱(re)試驗(yan)）
GB105861濕(shi)熱(re)試驗(yan)箱(xiang)技術條件

GB10589低溫試驗(yan)箱(xiang)技術條件

GB11158高溫試驗(yan)箱(xiang)技術條件
GJB150.9-1986濕(shi)熱(re)試驗(yan)

GJB150.3-1986高溫試驗(yan)
GJB150.4-1986低(di)溫試驗(yan)

6. 結構特(te)征(zheng)

6.1. 保溫圍(wei)護(hu)結(jie)構

外(wai)壁(bi)材(cai)料(liao)：雙面鍍(du)鋅鋼板(ban)，表(biao)面高級(ji)噴(pen)塑(su)鋼板(ban)或(huo)者不(bu)銹(xiu)鋼板(ban)SUS304

內(nei)壁材(cai)料(liao)：不(bu)銹(xiu)鋼板(ban)SUS304，

箱(xiang)體絕熱(re)保(bao)溫材(cai)料(liao)：硬(ying)質(zhi)PU泡沫100MM

6.2. 視(shi)窗(chuang)

單開門(men)
門(men)上(shang)配電熱(re)防(fang)結露(lu)中空(kong)玻(bo)璃(li)觀測(ce)窗 尺(chi)寸：360cm*450cm

門(men)框(kuang)備防(fang)結露(lu)電熱(re)裝置

6.3. 控(kong)制(zhi)面板(ban)

溫（濕(shi)）度(du)控(kong)制(zhi)顯(xian)示(shi)屏(ping)、超(chao)溫保(bao)護(hu)設(she)定裝置、急(ji)停(ting)開(kai)關、運行(xing)指示燈(deng)、故障指示燈(deng)、蜂(feng)鳴(ming)器(qi)、操(cao)作按(an)鈕、照(zhao)明(ming)燈(deng)開(kai)關

6.4. 機械室

機械室中(zhong)包(bao)含：制(zhi)冷機(ji)組、接排水裝置、風(feng)機(ji)、配電控(kong)制(zhi)櫃

6.5. 配電控(kong)制(zhi)櫃

散(san)熱(re)風(feng)機(ji)、蜂(feng)鳴(ming)器(qi)、溫濕(shi)度(du)記(ji)錄(lu)儀(yi)（選(xuan)購(gou)件）、配電板(ban)、試樣試驗(yan)端(duan)子

RS-232 物理接口(kou)

總電源漏(lou)電(dian)斷路器(qi)

6.6. 加熱器(qi)

鎳(nie)鉻合(he)金電熱絲式加(jia)熱器(qi)

加熱器(qi)控(kong)制(zhi)方(fang)式(shi)：無(wu)觸(chu)點等周期(qi)脈沖(chong)調寬(kuan)，SSR（固(gu)態(tai)繼(ji)電(dian)器(qi)）

6.7加濕(shi)器(qi)

6.7.1 加濕(shi)方(fang)法(fa)：水盤加(jia)熱

6.7.2 加濕(shi)器(qi)村(cun)質(zhi)：不(bu)銹(xiu)鋼鎧裝

6.7.3 加濕(shi)器(qi)控(kong)制(zhi)方(fang)式(shi)：無(wu)觸(chu)點等周期(qi)脈沖(chong)調寬(kuan)，SSR（固(gu)態(tai)繼(ji)電(dian)器(qi)）

6.7.4 加濕(shi)器(qi)裝置：水位控(kong)制(zhi)裝置、加熱器(qi)防(fang)幹燒(shao)裝置

7. 制(zhi)冷系統

7.1. 工作方(fang)式(shi)

風(feng)冷(leng)機械壓縮(suo)制(zhi)冷方(fang)式(shi)

7.2. 制(zhi)冷原理

制(zhi)冷方(fang)法(fa)分為蒸(zheng)氣壓縮(suo)式制(zhi)冷、吸(xi)收(shou)式(shi)制(zhi)冷、 蒸(zheng)氣噴(pen)射式(shi)制(zhi)冷、氣(qi)體膨脹(zhang)式制(zhi)冷、熱(re)電制(zhi)冷。在(zai)上述制(zhi)冷方(fang)法(fa)中，蒸(zheng)氣壓縮(suo)制(zhi)冷是(shi)zui經濟而且(qie)應(ying)用(yong)zui廣(guang)泛(fan)的(de)制(zhi)冷方(fang)式(shi)，亦是(shi)環境(jing)試驗(yan)設(she)備中(zhong)zui常使用(yong)的(de)制(zhi)冷方(fang)式(shi)，其原理是(shi)利(li)用(yong)氟(fu)利(li)昂(ang)等液體的蒸(zheng)發潛熱(re)從(cong)被(bei)冷(leng)卻物體中吸熱(re)而實現制(zhi)冷。（單(dan)級(ji)制(zhi)冷循(xun)環圖）為蒸(zheng)氣壓縮(suo)式制(zhi)冷循(xun)環過程(cheng)的(de)示意(yi)圖。經(jing)膨脹(zhang)閥節流(liu)進入(ru)蒸(zheng)發器(qi)的(de)液體，從(cong)周圍(wei)物(wu)體中吸取蒸(zheng)發潛熱(re)而蒸(zheng)發，蒸(zheng)發後變(bian)成(cheng)低(di)溫低(di)壓氣(qi)體被(bei)制(zhi)冷壓縮(suo)機吸(xi)入(ru)，經(jing)壓縮(suo)機壓縮(suo)後變(bian)成(cheng)高(gao)溫高(gao)壓氣(qi)體進入(ru)水冷或(huo)風(feng)冷(leng)冷凝(ning)器(qi)，在(zai)其中冷卻成(cheng)高(gao)壓液體，再經膨脹(zhang)閥進入(ru)蒸(zheng)發器(qi)。如(ru)此往(wang)復循(xun)環，從(cong)低溫處(chu)吸熱(re)實現制(zhi)冷，再(zai)將(jiang)熱(re)量(liang)從(cong)高溫處(chu)釋放(fang)出來。